长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利 , 提供一种半导体结构 ...

邬小姐农

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为 " 半导体结构及其制造方法、存储系统 " 的专利，公开号 CN121924756A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、第一电极层和电容介质层。第一电极层沿第一方向在堆叠结构中延伸。电容介质层环绕第一电极层。堆叠结构包括沿第一方向交替堆叠的介质层和第二电极层。多个第二电极层相连接。多个第一电极层在第一方向上的尺寸不同。